スパッタリングとは
加速された高エネルギーの原子やイオンをターゲット表面に衝突させ、そのターゲットの構成原子を飛び出させて、基盤上に成膜する技術です。下記の特徴があり、特に本研究室のRFスパッタ方式では、絶縁物のスパッタも可能です。また、マグネトロン方式を採用しているため、プラズマが試料付近にできず、試料のダメージが少ない方法です。
(1)試料への付着力が大きい
(2)合金系や化合物など、原料の組成比を変えずに成膜が可能
(3)蒸着では困難な、高融点原料でも成膜が可能
(4)反応性ガスを導入することで、酸化物、窒化物の成膜も可能 等
<本装置の仕様>
SVC-700RF Ⅰ
サンユー電子
共用化促進装置
※その他ターゲットが必要な方は事前にご連絡をお願い致します。
ガス
アルゴンガス、酸素ガス
室温〜最大600 ℃
基板温度
最大Φ50 mm
基板サイズ
ITO
ターゲット
水冷式マグネトロン
φ160mm×H311mm(給電部含む)
チャンバー部
スパッタカソード