スパッタリングとは

加速された高エネルギーの原子やイオンをターゲット表面に衝突させ、そのターゲットの構成原子を飛び出させて、基盤上に成膜する技術です。下記の特徴があり、特に本研究室のRFスパッタ方式では、絶縁物のスパッタも可能です。また、マグネトロン方式を採用しているため、プラズマが試料付近にできず、試料のダメージが少ない方法です。

(1)試料への付着力が大きい

(2)合金系や化合物など、原料の組成比を変えずに成膜が可能

(3)蒸着では困難な、高融点原料でも成膜が可能

(4)反応性ガスを導入することで、酸化物、窒化物の成膜も可能 等


<本装置の仕様>

SVC-700RF Ⅰ

サンユー電子

簡易手順書RFsputtering_files/RF%20sputtering_1.pdf

共用化促進装置

※その他ターゲットが必要な方は事前にご連絡をお願い致します。

ガス

アルゴンガス、酸素ガス

室温〜最大600 ℃

基板温度

最大Φ50 mm

基板サイズ

ITO

ターゲット

水冷式マグネトロン

φ160mm×H311mm(給電部含む)

チャンバー部

スパッタカソード