博士後期課程2年の津川樹さんが2024年12月16日~18日に行われた第34回日本MRS年次大会（国際セッション）で若手奨励賞受賞を受賞しました。

発表題目「Synthesis of the Pore-free Graphene Oxide and Application for Flexible Barrier Thin Films」

 

受賞内容の説明

酸化グラフェン（GO）膜は、高い柔軟性・機械的強度を有するためフレキシブルなバリア膜として注目されていますが、様々な酸素官能基を持つナノスケールの欠陥（細孔）に基づく非常に高いプロトン伝導性により、プロトン輸送をブロックできません。 本研究では、酸素官能基を制御したナノ細孔をもたないGO（Pore-free GO）が予想外のプロトン遮断挙動を示すことを報告しました。今回開発したGO膜は従来の膜と比較して最大10万倍のプロトンバリア特性を示しただけでなく、厚さ約300 nmのコーティングでリチウム箔を水滴から守ることに成功しました。このようなGOは全く新しい二次元炭素材料と考えるべきであり、今後カーボン関連材料の研究を一層発展させることが期待されます。これらの内容を第34回日本MRS年次大会の国際セッションにて発表し、若手奨励賞を受賞いたしました。